国家/地区 美国（3） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L029/16（3） H01L021/02（2）
发明人 ZHANG Y（3）
公开年 2014（3）
申请年 2014（3）
专利权人 ZHANG Y（3）

Electronic device using graphene to grow semiconductors, has epitaxial layers of semiconductor material that are grown on defect-free graphene layer disposed on substrate.

ZHANG Y, TSU R, YUE N

Method for growing graphene layer on metal foil for e.g. forming field-effect transistor, involves positioning foil in vessel placed in chamber, introducing hydrogen, annealing foil, introducing methane and depositing carbon on foil.

ZHOU C, ZHANG Y, ZHANG L

Monolayer graphene photodetector manufacturing method involves forming electron trapping center in graphene quantum dot array, which is formed in graphene monolayer.

ZHANG Y, WANG Q