国家/地区 中国（3） 日本（3） 韩国（3） 美国（3）
IPC部 H（3） B（2）
IPC大类 H01（3） B82（2）
IPC小类 H01L（3） B82Y（2）
IPC H01L021/336（3） H01L029/772（3） H01L029/78（3）
B82Y099/00（2） H01L021/28（2） H01L029/06（2）
H01L029/16（2） H01L029/417（2） H01L029/786（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2）
发明人 CHUNG H（3）
公开年 2013（3）
申请年 2012（3）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Graphene transistor for use as radio frequency transistor in hybrid transistor, has cover covering upper surface of source electrode and drain electrode and forming air gap above graphene channel between source electrode and drain electrode.

CHUNG H, CHUNG U, KIM K, CHUNG H J, JOUNG W I, KIM K N, CHUNG U I, JUNG W, JUNG H, KIM G

Electrode structure for semiconductor device e.g. FET used in electronic device, has graphene layer that is configured to contact one of semiconductor layer and electrode containing metal.

YANG H, PARK S, CHUNG H, HEO J, YANG H J, PARK S J, CHUNG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H

Graphene switching device with tunable barrier used as diode, triode, or transistor has graphene layer which is formed between semiconductor layer and gate substrate.

HEO J, CHUNG H, SONG H, PARK S, SEO D, YANG H, HEO J S, JEONG H J, SONG H J, PARK S J, DAVID S, YANG H J, CHUNG H J, HUH J, SONG C, SERIO D, JUNG H