国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/336（2） H01L029/786（2）
发明人 DENG P（2）
公开年 2013（2）
申请年 2013（2）
专利权人 UNIV XIDIAN（2）

Manufacture of side grid graphene transistor involves depositing nickel membrane on graphene, annealing, depositing metal palladium/gold layer on graphene sample wafer, forming metal electrode, forming photomask, and drying.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG Y, ZHANG K, ZHANG C

Method for preparing annealing film of chlorine reaction side-gate graphene of thin film transistor, involves etching side gate structure transistor image window on Silicon dioxide mask layer, and heating pattern of window in quartz tube.

DENG P, GUO H, LEI T, ZHANG Y, ZHANG K, ZHANG C