国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3） H（3）
IPC大类 B82（3） H01（3）
IPC小类 B82Y（3） H01L（3）
IPC H01L029/775（3） H01L029/78（3） B82Y030/00（2）
B82Y040/00（2） H01L021/20（2） H01L029/06（2）
H01L029/10（2） H01L029/16（2） H01L029/66（2）
H01L029/786（2）
发明人 DIMITRAKOPOULOS C（3）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2） 
专利权人 INT BUSINESS.（3）

Semiconductor structure for semiconductor device, has substrate, graphene layer and double layer gate dielectric having alternate lamination of silicon nitride layer and hafnium oxide layer.

DIMITRAKOPOULOS C D, FARMER D B, GRILL A, LIN Y, NEUMAYER D A, PFEIFFER D, ZHU W, DIMITRAKOPOULOS C

Semiconductor structure e.g. dual-channel finFET, has graphene nanoribbon located on bare sidewall of silicon carbide fin, where portion of graphene nanoribbon overlapped by gate structure defines channel region of structure.

COHEN G M, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A, COHEN G, DIMITRAKOPOULOS C

Ribbon of graphene, useful in FET structure and three/two terminal device structure, where ribbon of graphene provided with surface and arm chair edges is in physical contact with surface of single crystal substrate.

DIMITRAKOPOULOS C