国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2） H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） H01L021/20（2） H01L029/06（2）
H01L029/10（2） H01L029/16（2） H01L029/66（2）
H01L029/775（2） H01L029/78（2） H01L029/786（2）
发明人 GRILL A（2）
公开年
申请年
专利权人 INT BUSINESS.（2）

Semiconductor structure for semiconductor device, has substrate, graphene layer and double layer gate dielectric having alternate lamination of silicon nitride layer and hafnium oxide layer.

DIMITRAKOPOULOS C D, FARMER D B, GRILL A, LIN Y, NEUMAYER D A, PFEIFFER D, ZHU W, DIMITRAKOPOULOS C

Semiconductor structure e.g. dual-channel finFET, has graphene nanoribbon located on bare sidewall of silicon carbide fin, where portion of graphene nanoribbon overlapped by gate structure defines channel region of structure.

COHEN G M, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A, COHEN G, DIMITRAKOPOULOS C