国家/地区 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC
发明人 HAN S（2）
公开年 2012（2）
申请年 2012（2）
专利权人 INT BUSINESS.（2）

Fabrication method for forming sensor e.g. graphene biosensor involves forming sensor having first dielectric layer disposed on substrate, graphene layer disposed on first dielectric layer and gate region disposed on sacrificial layer.

GUO D, HAN S, LIN C, SU N

Method of forming three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) structure used in semiconductor industry, involves forming gate dielectric layer and gate electrode layer over patterned graphene layer.

GUO D, HAN S, LIN C, SU N, HEN S