国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/683（2）
发明人 HAN W（2）
公开年
申请年 2016（2）
专利权人 BEIJING UPRE.（2）

Electrostatic chuck device of graphene electrode, has insulating layer that is arranged on metal substrate, dielectric layer that is made of sapphire material, and electrode layer that is made of graphene material.

XU D, ZHU Y, YANG P, XU Y, CHENG R, HAN W, TANG N, ZHANG M, YANG K

Electrostatic chuck device of graphene electrode used in semiconductor wafer processing device, has electrode layer that is formed between dielectric layer and insulation layer, where insulation layer is set on metal substrate.

CHENG R, XU D, YANG K, TANG N, ZHANG M, XU Y, YANG P, ZHU Y, HAN W