国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B032/194（2）
发明人 HAN X（2）
公开年 2018（2）
申请年 2018（2） 
专利权人 SHANGHAI INST MICROSYSTEM INFORMATION（2）

Preparation of doped graphene involves providing substrate, forming protective layer on graphene layer, injecting doping element into graphene layer from upper surface of protective layer using ion implantation process and activating.

ZHANG M, GAO M, HAN X, JIA P, XUE Z, DI Z

Method for transferring graphene used in flexible electronic application, involves providing substrate, growing graphene on substrate, forming graphene/substrate structure, coating parylene on graphene and removing substrate.

ZHANG M, GAO M, HAN X, XUE Z, DI Z