国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82B（2）
IPC B82B003/00（2）
发明人 HONG S（2）
公开年 2010（2）
申请年 2008（2） 
专利权人 UNIV SEOUL N.（2）

Graphene nanostructure solution manufacturing method for manufacturing graphene nano device utilized in semiconductor device, involves forming solution having graphene nanostructures by dispersing graphene nanostructure in solvent.

HONG S, KOH J

Graphene nanostructure fabricating method for semiconductor device, involves performing anisotropic etching by using aligned oxide nanostructure as mask, and removing remaining oxide nanostructure after anisotropic etching.

HONG S, KIM T H, LEE J, HONG S H, LEE C Y, KIM T