国家/地区 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC
发明人 KIM D（2）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2）
专利权人

Manufacture of via electrode involves forming via hole at substrate, forming catalyst layer at sidewall and bottom of via hole, and forming graphene layer in via hole by exposing the catalyst layer to solution mixed with graphene particles.

KIM D, BAEK K, PARK K, PARK J M, KIM Z S, KIM J Y, JEONG Y S, DO L, KIM D P, BAEK K H, DO LEE M

Graphene device, preferably inverter, includes upper oxide layer on embedded gates, and graphene channel and electrodes on upper oxide layer.

HEO J S, SEO S, KIM D, WOO Y, CHUNG H