国家/地区 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2） C（2）
IPC大类 B82（2） C01（2）
IPC小类 B82B（2） B82Y（2） C01B（2）
IPC B82B003/00（2） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
C01B031/02（2） C01B031/04（2）
发明人 KIM M（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（2）
专利权人 WISCONSIN AL.（2）

Fabricating graphene structures, comprises fabricating a crystalline graphene layer on a surface, and subsequently decreasing crystallographic disorder of crystallographically disordered edges by heating crystalline graphene layer.

ARNOLD M S, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M, UNG K M

Growing patterned single-crystalline graphene comprises depositing a graphene growth barrier that defines a pattern on a substrate surface, and growing graphene on the substrate surface, around the graphene growth barrier.

ARNOLD M S, GOPALAN P, SAFRON N S, KIM M