国家/地区 韩国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C30（2）
IPC小类 C01B（2） C30B（2）
IPC C30B029/36（2）
发明人 LEE D（2）
公开年 2015（2）
申请年
专利权人 LG CHEM LTD（2）

Producing monocrystalline graphene, comprises producing base material containing metal thin film using high temperature generator, and supplying carbon source, and contacting high temperature part with carbon source.

OH E, LEE D, LEE S, JANG H

Manufacture of monocrystalline graphene involves forming high-temperature portion on substrate with metal thin film using high-heat generating device, supplying carbon source, and contacting carbon source with high-temperature portion.

OH E, LEE D, LEE S, JANG H