国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（3） C（3） H（3）
IPC大类 C01（3） H01（3） B82（2）
IPC小类 C01B（3） B82Y（2） H01B（2）
IPC C01B031/04（3） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
C01B032/186（2）
发明人 LEE E（3）
公开年 2016（2）
申请年 2015（3）
专利权人 CENT ADVANCE.（2）

Producing graphene useful in electronic device i.e. field effect transistor, electrode, touch panel and backlight, comprises forming organic layer on metal catalyst, and heating metal catalyst to form graphene on the metal catalyst.

CHO K, LEE E, LEE H C

Manufacturing graphene structure involves providing gas including semiconductor material and gas including carbon into reaction chamber, and performing chemical vapor deposition to form core of semiconductor material and shell of graphene.

LEE E, CHOI B, LEE J, WHANG D

Manufacture of graphene used in manufacture of electric device, involves contacting hydrogen gas with metal catalyst, contacting metal catalyst with hydrocarbon gas, nitrogen gas, or inert gas, and forming graphene on metal catalyst.

CHO K W, LEE H C, LEE E H, CHO K, LEE E, LEE H, LI E