国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/768（2）
发明人 LEE W（2）
公开年 2022（2）
申请年 2021（2）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Semiconductor device, has first interconnection layer connected with first via and protruded upward from upper surface of insulating layer in direction, and interconnection structure provided with second via and second interconnection layer.

LEE W, JUNG D, LEE S J, AHN S, SHIN J, YOUNG J D

Method for forming interconnect structure for semiconductor devices, involves forming carbon layer having bonding structure on first metal layer of substrate, and forming second metal layer of substrate electrically connected to first metal layer.

LEE Y, SHIN H, SHIN J, BYUN K, LEE W, AHN S, SHIN K, SHIN K W, BYUN K E, SHIN H J, LEE Y S, SHEN X, LI Y