国家/地区 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/02（2） H01L021/20（2） H01L027/12（2）
H01L029/06（2） H01L029/423（2） H01L029/66（2）
H01L029/78（2）
发明人 LIN H（2）
公开年 2017（2）
申请年
专利权人 TAIWAN SEMIC.（2） UNIV TAIWAN .（2）

Structure for providing a Gate-All-Around (GAA) device, includes nanobar which extends from graphene layer and along direction normal to vertical plane defined by graphene layer.

YANG C, LIU C, LIN H, YEH L

Method for fabricating gate-all-around (GAA) device for manufacturing semiconductor integrated circuit, involves extending nanobar in direction parallel to horizontal plane and normal to vertical plane defined by graphene layer.

YANG C, LIU C, LIN H, YEH L