国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/02（2）
发明人 LIU Z（2）
公开年
申请年 2017（2）
专利权人 LIU Z（2）

Niobium nitride thin film has gallium nitride layer which is epitaxially grown on surface of graphene mask layer and on surface of gallium nitride buffer layer exposed in pores of graphene mask layer.

LIU Z

Method for preparing gallium nitride thin film, involves epitaxially growing gallium nitride layer on surface of graphene mask layer and on surface of exposed gallium nitride buffer layer in pores of graphene mask layer.

LIU Z