国家/地区 日本（3） 美国（3）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3） H01B（2）
IPC H01L021/3205（3） H01L021/768（3） H01L023/532（3）
H01B005/14（2） H01L021/28（2）
发明人 MIYAZAKI H（3）
公开年 2014（3）
申请年 2013（3）
专利权人 TOSHIBA KK（3）

Graphene wiring for semiconductor device comprises substrate, catalyst layer on substrate, graphene layer on catalyst layer, and dopant layer which contains atom or molecule in side surface of graphene layer.

MIYAZAKI H, SAKAI T, KATAGIRI M, YAMAZAKI Y, SAKUMA H, SUZUKI M, SAKUMA N

Graphene wiring for semiconductor device, has graphene sheet layer arranged on catalyst layer, where atom or molecule is chosen from nitric acid, phosphoric acid, lithium, sodium, potassium, magnesium and calcium.

MIYAZAKI H, SAKAI T, KATAGIRI M, YAMAZAKI Y, SUZUKI M

Semiconductor device has lower-layer contact which is connected to undersurface side of first multi-layered graphene wire while upper-layer contact is connected to upper surface side of second multi-layered graphene wire.

WADA M, MIYAZAKI H, KAJITA A, ISOBAYASHI A, SAITO T, SAKAI T