国家/地区 美国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C23（2） H01（2）
IPC小类 C23C（2） H01L（2）
IPC C23C016/26（2） H01L021/02（2）
发明人 NEMANI S D（2）
公开年 2020（2）
申请年 2019（2）
专利权人 APPLIED MATE.（2）

Forming graphene layer for improving graphene deposition, involves exposing a substrate surface comprising a dielectric material to a microwave surface-wave plasma comprising hydrocarbon and hydrogen radicals to form graphene layer.

ZHOU J, CHEN E, LIANG Q, YING C C, NEMANI S D, YIEH E Y

Forming electronic device i.e. 3-dimentional NAND device involves forming graphene barrier layer on substrate surface and depositing fill layer over barrier layer that prevents diffusion of elements between fill layer and substrate surface.

WU Y, GANDIKOTA S, MALLICK A B, NEMANI S D