国家/地区 日本（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L029/786（2）
发明人 OFUCHI M（2）
公开年 2009（2）
申请年
专利权人 FUJITSU LTD（2）

Semiconductor device e.g. transistor has channel formed of bi-layer graphene film.

HARADA N, OFUCHI M

Electronic device manufacturing method involves regulating crystal orientation along extension direction of graphene and width of graphene with scanning probe microscope.

HIROSE S, IWAI D, OFUCHI M, OBUCHI M