国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） C（2）
IPC大类 B01（2） C01（2）
IPC小类 B01J（2） C01B（2）
IPC C01B031/02（2） C01B031/04（2）
发明人 PARK W（2）
公开年
申请年 2013（2）
专利权人 LG ELECTRONI.（2）

Manufacture of graphene involves loading catalytic metal layer into chamber, applying tensile force to catalytic metal layer, supplying carbon source to chamber, applying tension, and forming graphene on catalytic metal layer.

MOON J, RHO J, PARK S, KIM T, HONG B, PARK W, JUNG M, KIM T H, ROH J

Manufacturing graphene used e.g. as base material for electronic circuits, by attaching support layer on graphene layer, removing catalyst metal layer, disposing substrate on graphene layer, and separating support layer from graphene layer.

MOON J, PARK W, JUNG M, RHO J, SEO B