国家/地区 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L023/532（2）
发明人 SAKATA A（2）
公开年 2013（2）
申请年
专利权人 TOSHIBA KK（2）

Manufacturing method of semiconductor device, involves forming graphene layer on catalyst layer after planarizing exposed surface of catalyst layer by oxidation-treating.

YAMAZAKI Y, KATAGIRI M, SAKAI T, SAKUMA H, KITAMURA M, SAKATA A, WADA M, KAJITA A, MIZUSHIMA I, SAKUMA N

Semiconductor device has graphene layers which include multiple graphemes laminated perpendicularly with respect to the corresponding side surfaces of core of wiring.

WADA M, YAMAZAKI Y, KAJITA A, SAKATA A