国家/地区 日本（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2） H01L（2）
IPC C01B031/02（2） H01L021/336（2） H01L029/786（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2） H01L051/40（2）
发明人 SATO S（2）
公开年 2012（2）
申请年
专利权人 FUJITSU LTD（2）

Electronic device e.g. transistor, has insulating layer having space, formed on substrate, and graphene crosslinked between pair of electrodes formed on both sides of space, through space top.

SATO S

Manufacture of semiconductor device e.g. field effect transistor used in mobile telephone base station, involves forming catalyst film on substrate, growing graphene on catalyst layer, forming gap and removing catalyst film.

HAYASHI K, SATO S