国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L029/78（2）
发明人 SEO D（2）
公开年
申请年 2011（2）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Method for transferring graphene, involves forming trench on substrate, arranging graphene layer using additive liquid on substrate, pressurizing graphene layer on substrate, and removing additive liquid from substrate by drying.

SEOK S H, SEONG H J, JONG J H, JUN Y H, JUN P S, JAE S H, SEO D, HEO J, CHUNG H, YANG H, PARK S, SONG H, HEO J S, CHUNG H J, YANG H J, PARK S J, SONG H J

Graphene electronic device i.e. FET, for use in gas sensor, has interlayer dielectric formed on silicon substrate, insulating layer formed on interlayer dielectric, and graphene layer formed on insulating layer.

CHUNG H, BAEK S, SEO S, WOO Y, HEO J, SEO D, CHUNG H J, BAEK S J, SEO S A, WOO Y S, HEO J S