国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/336（2） H01L029/06（2） H01L029/10（2）
H01L029/12（2） H01L029/16（2） H01L029/24（2）
H01L029/423（2） H01L029/66（2） H01L029/78（2）
H01L029/786（2）
发明人 SHEN T（2）
公开年 2021（2）
申请年 2021（2） 
专利权人 TAIWAN SEMIC.（2）

Method for forming semiconductor device, involves configuring gate structure, source and drain components, semiconductor structure and two-dimensional material layer, and utilizing semiconductor structure and two-dimensional material layer as channels between source and drain components.

SHEN Z, KHADERBAD M A, MA H, SATHAIYA D M, ABHIJITH K M, SHEN T, DHANYAKUMAR S M

Semiconductor device comprises gate structure above channel element comprising channel layer containing silicon, germanium or semiconductor elements, and channel layer containing two-dimensional material.

KHADERBAD M A, MA H, LIN G, SHEN Z, SATHAIYA D M, LIN K, SHEN T, KARDERBARTMURUNALAPJIT, SATAYYADANYAKUMAHAVIER, SENSORMIN, DHANYKUMAR S M