国家/地区 韩国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2） H01L（2）
IPC
发明人 SON M W（2）
公开年
申请年 2018（2）
专利权人 GWANGJU INST.（2）

Manufacturing graphene directly on a substrate without transfer process used in semiconductore devices involves forming a catalyst layer on the substrate, using chemical vapor deposition to inject a carbon compound onto the catalyst layer.

HAM M, SON M W

Method for doping synthesized graphene by high temperature heat treatment in gas atmosphere containing dopant,.

HAM M H, SON M W, MYUNGWOO S