国家/地区 波兰（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/00（2） C01B031/04（2）
发明人 STRUPINSKI W（2）
公开年 2013（2）
申请年
专利权人 ISOS TECHNOL.（2）

Method for producing epitaxial graphene on silicon carbide substrate, involves reducing value of partial pressure of graphene is reduced to certain value, and etching substrate on graphene such that partial pressure of propane is increased.

STRUPINSKI W

Manufacture of microscopic graphene-containing grains used in e.g. supercapacitors, involves heating granules of copper, nickel or aluminum at specific conditions and cooling to room temperature under argon atmosphere.

STRUPINSKI W