国家/地区 日本（2） 美国（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2） H01L（2）
IPC H01L021/3205（2） H01L021/768（2） H01L023/532（2）
发明人 WADA M（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（2）
专利权人 KITAMURA M（2） SAKAI T（2） TOSHIBA KK（2） WADA M（2）
YAMAZAKI Y（2）

Manufacturing method of semiconductor device, involves forming graphene layer on catalyst layer after planarizing exposed surface of catalyst layer by oxidation-treating.

YAMAZAKI Y, KATAGIRI M, SAKAI T, SAKUMA H, KITAMURA M, SAKATA A, WADA M, KAJITA A, MIZUSHIMA I, SAKUMA N

Wire used in semiconductor device, has graphene wires formed on metal part and electrically connected to metal film on substrate, in which metal film and metal part are formed using different metals or alloys.

YAMAZAKI Y, WADA M, KITAMURA M, SAKAI T