国家/地区 美国（2）
IPC部 G（2） H（2）
IPC大类 G01（2） G03（2） H01（2）
IPC小类 G01J（2） G03F（2） H01G（2）
H01L（2）
IPC G01J001/44（2） G03F007/004（2） G03F007/20（2）
H01G009/00（2） H01G009/20（2） H01L051/00（2）
H01L051/42（2） H01L051/44（2）
发明人 XIONG Z（2）
公开年
申请年
专利权人 UNIV HONG KO.（2）

Manufacturing method of graphene-semiconductor based wavelength selective photodetector for sub-bandgap photo detection, by depositing silver in thermal evaporator on e-beam lithography in defined central area of graphene ribbon.

TANG J, XIONG Z, CHEN J

Photodetector used to perform flexible and transparent optoelectronics for e.g. imaging and sensing communications, comprises supporting medium, graphene layer of supporting medium, layer of semiconductor nanoparticles and packaging layer.

TANG J, XIONG Z, CHEN J