国家/地区 中国（2） 日本（2） 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2） H01L（2）
IPC B82Y099/00（2） H01L021/336（2） H01L029/06（2）
H01L029/16（2） H01L029/417（2） H01L029/772（2）
H01L029/78（2）
发明人 YANG H J（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（2）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（2）

Electrode structure for semiconductor device e.g. FET used in electronic device, has graphene layer that is configured to contact one of semiconductor layer and electrode containing metal.

YANG H, PARK S, CHUNG H, HEO J, YANG H J, PARK S J, CHUNG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H

Graphene switching device with tunable barrier used as diode, triode, or transistor has graphene layer which is formed between semiconductor layer and gate substrate.

HEO J, CHUNG H, SONG H, PARK S, SEO D, YANG H, HEO J S, JEONG H J, SONG H J, PARK S J, DAVID S, YANG H J, CHUNG H J, HUH J, SONG C, SERIO D, JUNG H