国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/336（2） H01L029/16（2） H01L029/78（2）
发明人 YIN H（2）
公开年 2013（2）
申请年
专利权人 INST MICROEL.（2）

Diamond-like semiconductor substrate source/drain buried type graphene transistor device for small size and high frequency integrated circuit, has insulating medium layer arranged on upper part of metal gate electrode.

MA X, YIN H

Forming graphene nano-ribbon to form metal-oxide-semiconductor field effect transistor involves forming stack of seed/growth blocking layer on insulating substrate, then patterning and growing graphene nano-ribbon at seed layer side surface.

LIANG Q, LUO Z, YIN H, ZHU H