国家/地区 韩国（3） 美国（3）
IPC部 B（3） H（3） C（2）
IPC大类 B82（3） B32（2） C01（2）
C23（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（3） B32B（2） C01B（2）
C23C（2） H01B（2） H01L（2）
IPC B82Y030/00（2） B82Y040/00（2） C01B031/02（2）
C23C016/26（2） H01B001/04（2）
发明人 YOON S M（3）
公开年 2012（3）
申请年 2012（3）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（3）

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Making crystalline graphene, used e.g. in electronic device, comprises e.g. performing first thermal treatment by supplying heat to inorganic substrate, and introducing vapor carbon supply source into reactor during first thermal treatment.

SHIN H, CHOI J, WOO Y, YOON S, SHIN H J, CHOI J Y, WOO Y S, YOON S M

Forming multi-layer graphene involves forming stack of graphitizing metal catalyst layer and graphene by repeatedly forming the catalyst layer on substrate, and forming graphene on the catalyst layer; and removing the metal catalyst layer.

WOO Y, CHOI J, CHOI W, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, CHOI W M, SHIN H J, YOON S M