国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/02（2） H01L029/16（2）
发明人 ZHAO C（2）
公开年 2016（2）
申请年 2015（2）
专利权人 INST MICROELECTRONICS CHINESE ACAD SCI（2）

Method for growing graphene that is utilized in semiconductor device, involves providing single crystal of silicon or germanium substrate, and growing graphene layers on epitaxial layer by chemical vapor deposition.

LUO J, ADAMSON H H, WANG L, ZHAO C, WANG G

Growing graphene involves forming single crystal metal silicide layer on substrate, and growing graphene layer on metal silicide layer using chemical vapor deposition method.

LUO J, ZHAO C