国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/336（2） H01L029/16（2） H01L029/78（2）
发明人 ZHU W（2）
公开年
申请年
专利权人 INT BUSINESS.（2）

Semiconductor structure for semiconductor device, has substrate, graphene layer and double layer gate dielectric having alternate lamination of silicon nitride layer and hafnium oxide layer.

DIMITRAKOPOULOS C D, FARMER D B, GRILL A, LIN Y, NEUMAYER D A, PFEIFFER D, ZHU W, DIMITRAKOPOULOS C

Semiconductor structure of semiconductor device e.g. MOSFET used in electronic device e.g. personal computer, has nitride layer which is formed on graphene layer between source electrode and drain electrode.

AVOURIS P, NEUMAYER D, ZHU W, NEUMAYER D A