国家/地区 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B01（2）
IPC小类 B01J（2） C01B（2） C23C（2）
H01L（2）
IPC B01J019/08（2）
发明人
公开年 2012（2）
申请年 2011（2）
专利权人

Fabricating graphene oxide material involves providing substrate; depositing graphene layer onto substrate; and oxidizing portion of graphene layer, with dry oxidation technique for period of time sufficient to obtain band gap.

GHARIB M, ARIA A I, GANI A W

Manufacture of graphene for fabricating graphene semiconductor device, involves contacting reaction gas for graphene growth on substrate surface, heating substrate, and growing graphene.

LEE K, CHOI I, LEE K J, CHOI I S, JAE L G, SEONG C I