国家/地区 美国（3） 世界知识产权组织（3） 中国（2） 韩国（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 B01（3）
IPC小类 B01J（3） C01B（3） C23C（3）
B82Y（2）
IPC B01J019/24（3）
发明人
公开年 2012（2）
申请年
专利权人 HANWHA TECHW.（2） SAMSUNG TECH.（2）

Graphene synthesizer used for synthesizing graphene, comprises heater unit for applying heat to continuous catalytic metal thin film, susceptor unit arranged between catalytic metal thin film and heater, and source material supply unit.

YOON J, YOON J H

Synthesizing graphene, comprises loading catalyst metals into chamber, increasing sizes of grains of catalyst metals, raising temperature inside the chamber while providing vapor carbon source and forming graphene.

SONG Y, KIM H, HONG B, AHN J, AHN J H, HONG B H, KIM H K, SONG Y I

Fabricating graphene oxide material involves providing substrate; depositing graphene layer onto substrate; and oxidizing portion of graphene layer, with dry oxidation technique for period of time sufficient to obtain band gap.

GHARIB M, ARIA A I, GANI A W