国家/地区 中国（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（3） C23（3）
H01（3） B32（2） C30（2）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y040/00（3）
发明人 VEERASAMY V（2） VEERASAMY V S（2）
公开年 2011（2）
申请年 2009（3）
专利权人 GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Electronic device comprises porous graphene layer including graphene nanoribbon and electrically connecting two graphene electrodes.

KAERKKAEINEN A M, HAQUE S M, COLLI A, PASANEN P M, JOHANNES K L M, UUSITALO M A, LEHTINIEMI R K, KARKKAAINEN A M, HAQUE S, KARKKAINEN L M J, KARKKAINEN L, UUSITALO M, LEHTINIEMI R, KARKKAINEN L M Y, KAERKKAEINEN L M J