国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） C（2） H（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/00（2）
发明人
公开年
申请年
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（2）

Stacking structure for use in electronic device, has intermediate layer placed on graphene layer that is formed from linear type precursor, and material layer placed on intermediate layer and formed through atomic layer deposition.

JEONG S, PARK S, SHIN H, GU Y, KIM H, YANG J, GU Y H, JEONG S J, KIM H S, PARK S J, SHIN H J, YANG J H

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T