| 国家/地区 |
中国(3)
|
| IPC部 |
B(3)
C(3)
H(3)
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| IPC大类 |
B82(3)
C01(3)
H01(3)
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| IPC小类 |
B82Y(3)
C01B(3)
H01M(2)
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| IPC |
B82Y030/00(3)
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| 发明人 | |
| 公开年 |
2012(3)
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| 申请年 | 2012(3) |
| 专利权人 | SEMICONDUCTO.(2) |
TODORIKI H, MOMO J, OGUNI T, INOUE N, TODOROKI H, KOKUNI T
SITHARAMAN B, PARATALA B S, PARATALA B
