国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C23（2） C30（2） H01（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C23C014/06（2）
发明人
公开年 2022（2）
申请年 2022（2）
专利权人

Epitaxial gallium nitride (GaN) with diamond as substrate comprises diamond substrate, single-layer or multi-layer graphene layer arranged on diamond substrate, aluminum nitride layer sputtered on graphene layer, and gallium nitride thin film epitaxially grown on aluminum nitride.

LI X, ZHANG F

Preparing diamond-based gallium nitride epitaxial substrate structure, involves preparing aluminum nitride nucleating layer on diamond substrate, growing graphene layer on surface of copper foil, and transferring onto aluminum nitride nucleation layer.

HAO Y, MA P, WANG D, JIA Y, ZHANG J, WU H, NING J