国家/地区 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2） C30（2） H01（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C23C016/02（2）
发明人
公开年
申请年 2021（2）
专利权人

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Substrate for forming semiconductor device, comprises graphene layer arranged on silicon surface of silicon carbide crystal substrate, epitaxial growth layer, and graphene layer arranged on silicon surface of epitaxial growth layer.

NORIYUKI M, TAKUJI M, MITSURU M, TAKAYASU O