国家/地区 日本（3） 美国（3） 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 韩国（2） 台湾（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 C01（3） C07（3） C23（3）
H01（3） B82（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C23C016/26（3）
发明人
公开年
申请年 2013（2） 
专利权人

Graphene nanoribbon precursor for use in graphene nanoribbon that is utilized in electronic device for channel of FET and resonant tunneling diode, comprises substituted terphenyl compound.

YAMAGUCHI J

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Method for forming film of graphene involves placing substrate in processing chamber at reduced pressure, performing surface treatment process on portion of substrate, and providing carbon-containing material in processing chamber.

BOYD D A