国家/地区 中国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B01（2） C01（2） C23（2）
IPC小类 B01J（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人
公开年 2012（2）
申请年 2012（2）
专利权人 HANWHA TECHW.（2） SAMSUNG TECH.（2）

Apparatus for manufacturing graphene film, has heater that is provided to heat domain of catalyst substrate which is arranged to contact gas gushing out from gas jet unit.

YOON J, HYEOK Y J, YOON J H

Synthesizing graphene, comprises loading catalyst metals into chamber, increasing sizes of grains of catalyst metals, raising temperature inside the chamber while providing vapor carbon source and forming graphene.

SONG Y, KIM H, HONG B, AHN J, AHN J H, HONG B H, KIM H K, SONG Y I