国家/地区 美国（3） 中国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C01（3） C23（3） H01（3）
C03（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C23C016/26（3）
发明人 YAGER T A（3）
公开年 2012（2）
申请年
专利权人 EMPIRE TECHN.（3） ISLAND GIANT.（2）

Copper substrate for growing graphene monolayer has second copper layer in contact with first copper layer, and has second copper percentage, second oxygen percentage and second average thickness.

YAGER T A, ROBINSON J

Method for transferring layer of graphene from transitional metal substrate onto target substrate, involves conforming layer of graphene to target substrate to form graphene on substrate assembly by applying hydrostatic pressure.

YAGER T A

Forming recrystallized metal layer for growing graphene monolayer involves forming metal layer on substrate; forming layer of dielectric material on the metal layer; and directionally recrystallizing the metal layer.

YAGER T A