国家/地区
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C23C016/26（2）
发明人
公开年 2018（2）
申请年 2016（2） 
专利权人

Method of making a pellicle for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography system, by depositing graphene layer over first material layer, and depositing amorphous silicon layer over graphene layer.

TU C, CHEN C, YOO C S, CHANG J, TSAI C, LIU P, LEE H, LIN C, LIN Y, TU Z, CHEN J, CAI J, YOU Q, ZHANG Z, LIN Z, LIU B, LI X, YOO C

Producing graphene structure useful for transistor and photo detectors, comprises e.g. forming an aluminum pattern on a substrate, forming a graphene layer on substrate and aluminum pattern, and depositing a metal layer on graphene layer.

DONG J L, JONG C Y