国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C30（2）
IPC小类 C30B（2）
IPC C30B023/02（2）
发明人 YANG X（2）
公开年
申请年
专利权人 UNIV PEKING（2）

Growing single crystal III-nitrides on ceramic substrate comprises e.g. depositing filling material on surface of ceramic substrate, grinding and polishing to obtain smooth surface, and/or forming aluminum-oxygen compound layer or two-dimensional material layer on surface.

GUO F, YANG H, CHEN Z, WU J, SHEN B, YANG X

Growing single crystal gallium nitride film on arbitrary self-supporting substrate involves nitride deposition on any self-supporting substrate, transferring the two-dimensional material with single crystal hexagonal structure.

YANG X, SHEN B, LIU D, SHEN J, CAI Z, CHEN Z, MA C