国家/地区 中国（3） 欧洲专利局（EPO）（3） 印度（3） 日本（3） 韩国（3） 墨西哥（3） 俄罗斯（3） 台湾（3） 美国（3） 世界知识产权组织（3）
IPC部 B（3）
IPC大类 B82（3） C01（3） C23（3）
C30（3） H01（3）
IPC小类 B82Y（3）
IPC B82Y030/00（3）
发明人 VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3）
公开年 2011（3）
申请年 2009（2） 
专利权人 GUARDIAN IND（3）

Manufacture of doped graphene thin film for electrochromic devices comprises hetero-epitaxially growing intermediate graphene thin film on catalyst thin film, and doping intermediate graphene thin film with n- or p-type dopants.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Method for isolating graphene thin film involves causing graphene thin film and polymer-based coating to be released from catalyst thin film, after curing polymer-based coating.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V

Manufacture of graphene thin film used in metal oxides window electrodes for solid-state solar cells involves disposing catalyst thin film on back support substrate, introducing hydrocarbon, and heating to promote graphene growth.

VEERASAMY V S, VEERASAMY V