国家/地区 台湾（4） 美国（3）
IPC部 B（6）
IPC大类 C08（4） B29（3） B82（3）
C01（2） C09（2） H01（2）
H04（2）
IPC小类 C08K（4） B82Y（3） B29C（2）
B29L（2） C01B（2） C08J（2）
C09D（2） C09K（2） H01B（2）
H04R（2）
IPC C08K003/04（4） B82Y040/00（3） B29L007/00（2）
B82Y030/00（2） C01B032/19（2） C08J003/20（2）
C08J005/18（2） C09D001/00（2） C09D007/40（2）
C09D007/61（2） C09D007/80（2） C09K005/14（2）
H01B001/04（2） H01B001/24（2）
发明人 CHAN C（6）
公开年 2021（3）
申请年 2020（3） 
专利权人 AMAZING COOL.（3） NITRONIX INT.（2） TSENG W（2） TSENG W L（2）

Manufacture of graphene polyester chips used for diaphragm, involves melt-mixing polymer material and graphene powder into graphene masterbatches in form of short cylindrical particles, and madding molten raw material into chips.

HSU C, CHAN C, SHIH Y, TSENG W

Manufacturing graphene plastic film used as electrode separator film in lithium battery by providing plastic particles and graphene powder, mixing plastic particles with graphene powder, heating, pressing and radially stretching the sheet.

TSENG W, SHIH Y, CHAN C, HSU C, TSENG W L, SHIH Y M

Manufacture of graphene ester particles for diaphragm, involves melt-mixing polymer material and graphene powder, sequentially mixing tackifier, toughener and dispersant, and making molten material into polyester chips of graphene.

TSENG W L, SHIH Y M, CHAN C, HSU C

Slurry for manufacturing graphene sheet combining graphite flake structure comprises solvent in which graphite nanoplatelet material comprising graphite nanoplatelets and graphene material comprising graphenes are mixed.

CHOU T, WU F, CHAN C, LIAO W, CHANG H, LI L, ROSS J

Graphene sheet combining graphite flake structure used as heat-dissipation structure and in light and thin current electronic products, comprises graphite nanoplatelet material and graphene material mixed in the nanoplatelet material.

CHOU T, WU F, CHAN C, LIAO W, CHANG H, LI L, ROSS J, YU W F, CHIEH C C, HSIEN L W, PIN C H, JONG L L, WU F Y, CHAN C C, LIAO W H, CHANG H P, LI L J

A discrete graphene nanodisk as the charge storage layer for manufacturing method and memory application.

LIN C, WANG J, LAI C, CHAN C, LIN C T, WANG J C, LAI C S, CHAN C F