国家/地区 中国（2） 台湾（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2） C01（2）
IPC小类 B82Y（2）
IPC B82Y030/00（2）
发明人 LIN X（2）
公开年 2013（2）
申请年 2012（2） 
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Making strip shaped graphene layer used on semiconductor devices involves providing graphene film on metal substrate; adhering nanotube structure with strip-shaped gap on graphene film; applying voltage to nanotube graphene structure.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer involves providing graphene film on surface of substrate; drawing carbon nanotube film comprising carbon nanotube segments; disposing carbon nanotube composite on the film; applying voltage; and etching.

LIN X, JIANG K, FAN S