国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B01（2） C01（2） H01（2）
IPC小类 B01J（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人 SHIN H（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（2）
专利权人 SHIN H（2）

Making graphene structure involves depositing metal layer over silicon carbide substrate, and performing first heat treatment on substrate over which metal layer is deposited to form composite layer and electrically neutral graphene layer.

AHN J, SHIN H, SONG I, AHN J R, SHIN H C, SONG I K

Fabricating single-layer graphene on silicon carbide wafer used as channels of field-effect transistor array, comprises disposing graphene layers on carbon buffer layer of wafer, and converting buffer layer to single-layer graphene.

WOO Y, YOON S, SHIN H, LEE D, CHOI J, WOO Y S, YOON S M, SHIN H J, LEE D W, CHOI J Y