国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C04（2）
IPC小类 C04B（2） C23C（2） C25D（2）
H01L（2）
IPC C25D015/00（2）
发明人
公开年 2021（2）
申请年 2020（2） 
专利权人

Manufacture of dense layer of electrochemical device, involves providing substrate and suspension of non-agglomerated nanoparticles of material having specific particle size distribution, depositing layer on substrate, drying and densifying.

GABEN F

Doping method involves stacking sacrificial layer on doped layer, arranging doping material on the sacrificial layer, arranging electrodes on doping material and doped layer, and doping doping material into doped layer.

SON K, KIM T, SON A